6月12日，证监会同意长鑫科技集团股份有限公司（以下简称“长鑫科技”）首次公开发行股票并在科创板上市的注册申请。
当晚，上交所官网显示，长鑫科技的科创板IPO审核状态变更为注册生效。
作为中国第一、全球第四的DRAM厂商，长鑫科技科创板闯关成功，宣告国产存储替代正进入资本加速阶段。
几乎同一时期，长江存储控股股份有限公司完成IPO辅导备案，旗下全资子公司长江存储科技有限责任公司（以下简称“长江存储”）是中国第一、全球第六的NAND厂商。
站在资本市场大门前回望来路，从2016年至今，中国存储产业用十年时间完成了一场逆战，于荒芜中铸就了“合肥—武汉”双城并立的格局。
十年磨双剑
2016年，长江存储、合肥长鑫、福建晋华三个存储器项目相继启动。这一年，也被称为中国大陆存储器产业发展的元年。
三个存储器项目分工明确：长江存储重点发展NAND Flash；合肥国资与兆易创新合作设立长鑫，自主研发DRAM；福建晋华原计划通过与联华电子（UMC）合作开发DRAM，但因陷入法律纠纷，发展停滞。
历经“只闻烧钱、不见出片”的三年后，2019年，中国大陆存储芯片迎来了产业化元年：长鑫的12英寸DRAM晶圆厂在合肥投产，并推出自主设计的8GB DDR4产品，实现了中国大陆DRAM产业“从0到1”的突破；长江存储32层3D NAND闪存芯片实现量产，并宣布64层256Gb TLC 3D NAND闪存芯片投产。
两大项目的相继量产，标志着中国存储产业跨越了“从0到1”的死亡之谷。其背后是上百亿元的投入：长鑫存储创始人朱一明曾在2019年一次公开活动上透露，长鑫存储成立以来已花费25亿美元用于研发和资本支出。
而量产只是起点，国产存储与国际存储的差距，还存在代际差。为此，“两存”双双选择跳代研发，以资本、人才与市场的巨大投入为代价，换取技术迭代的宝贵时间窗口。
2020年，长江存储宣布其128层QLC 3D NAND闪存研发成功，跳过96层，直接从64层进入128层。长鑫存储则在2019年量产19nm后，工艺路线跳过18nm，直接投入17nm研发。此后在产品维度上，长鑫也未在DDR4的渐进迭代中消耗资源，而是迅速将研发重心转向DDR5和LPDDR5。
跳代研发让“两存”完成了从“跟跑者”到“并跑者”的身份转换。2022年，长江存储率先量产232层3D NAND闪存，成为全球首家实现200层以上3D NAND量产的厂商。
如果说量产与研发是拿到了入场券，对于国产存储而言，更致命的考验在于如何从铁板一块的寡头垄断中硬生生撕下份额。
2023年无疑是中国存储产业的破局之年。2022年下半年起，全球存储芯片行业进入下行周期，三星、SK海力士、美光等遭遇严重亏损，被迫在2023年初宣布减产和缩减资本支出。长江存储和长鑫存储却做出了极具魄力的决策——逆势扩产，甚至降价促销。
这一年，长鑫存储年度资本开支高达436.58亿元，相较2022年的354.31亿元大幅增长。在产品端，长江存储232层NAND闪存主动降价出击，长鑫存储部分产品报价甚至仅为海外竞品的一半。
这是大陆存储产业最具决定性的一次战略豪赌。逆势扩产虽然导致短期内库存高企、账面亏损严重，但叠加降价策略，成功在巨头减产期实现了“份额替代”，打破了寡头对市场的绝对垄断。
跳代研发、逆势扩产、降价促销，都为国产存储在2025年行业“超级周期”中的量价齐升埋下了伏笔。
如长鑫于2025年实现盈利，较此前预计的2026年或2027年可实现盈利来得更早。紧接着，长鑫科技在2026年一季度实现了247.62亿元归母净利润，大幅弥补了截至2025年年底累计亏损的366.5亿元——从巨额亏损一举跨入暴利时代，中国存储迎来了真正的收获期。
时至今日，长鑫科技科创板IPO注册生效，长江存储完成IPO辅导备案。两大国产存储龙头的业绩表现与资本化节奏，标志着大陆存储双雄彻底告别了依赖“输血续命”的蛰伏期，迈入资本市场的“造血期”。
合肥、武汉双城并立
长鑫与长江相继IPO，不仅在资本市场上迎来了千亿级的价值重估，更在中国存储产业版图上确立了“合肥—武汉”双城并立的格局。
对于这两座城市而言，长鑫科技、长江存储IPO的意义远超一家企业的资本化——它标志着双城用十余年时间，在存储芯片版图上完成了“从0到1”和“从1到N”的跨越。
合肥对于存储芯片产业链的系统性布局，是一场早有谋划的“筑巢引凤”。在长鑫落地之前，其系统性建链便已启动。
如在先进封装环节，2015年，通富微电（002156.SZ）与合肥海恒投资控股集团公司、合肥市产业投资引导基金有限公司在合肥经济技术开发区内投资建设先进封装测试产业化基地项目，设立合肥通富微电子有限公司，为DRAM芯片封装打下基础。
此外，在设备环节，芯碁微装（激光直写设备）、富乐德（半导体清洗）等一批设备材料企业也先后在合肥落地，为长鑫提供制造配套——合肥依托长鑫的龙头效应，招引多个上下游产业项目落地，形成了从材料、设计、制造到封装测试的存储芯片全产业链布局。
武汉对于存储芯片的布局则更为久远。早在2006年，湖北省、武汉市及东湖高新区（即光谷）三级政府共同投资超100亿元，成立武汉新芯公司，该公司是当时国内唯一以存储器为主的集成电路制造企业。2016年组建的长江存储，正是脱胎于武汉新芯。
两地也均以资本加持企业：合肥国资在长鑫一期项目中出资占比高达80%，以“顶格输血”扛起启动重担；此后随着多轮融资与社会资本涌入，国资主动让出空间，至发行前，合肥国资体系合计持股比例降至约37%。在武汉，湖北省、武汉市、东湖高新区三级国资持续投入长江存储，累计资金支持超过300亿元。
如今，中国存储芯片版图呈现清晰的“双城格局”：武汉以长江存储为龙头，主攻NAND闪存；合肥以长鑫科技为龙头，主攻DRAM内存。
这两大巨头的上市，也将在合肥与武汉引发一场资本与产业的链式反应。如此次登陆科创板，长鑫科技拟募资295亿元，投向存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目、DRAM存储器技术升级项目、动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目——巨头的资本开支将牵引上游设备、材料等配套产业同频共振，实现从单点突破到全链共荣的辐射效应。
但放眼全球，存储市场呈现高度集中格局。与国际头部厂商相比，“两存”在整体规模、技术积累、客户资源等方面仍然存在一定差距。
接下来的故事，将是在AI浪潮下，合肥、武汉如何继续前进，从“国产替代的追赶者”，迈向“全球格局的重塑者”。
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